Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMV170UN,215
MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMV170UN
PMV170UN,215 Hakkında
PMV170UN,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 1A sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken bileşendir. TO-236-3 (SOT-23) SMD paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, lojik seviyeleri sürme, güç yönetimi ve sinyal kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 165mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, 325mW güç tüketimine kapasidir. Giriş kapasitesi 83pF ve kapı yükü 1.65nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Parça günümüzde üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.65 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 83 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 325mW (Ta), 1.14W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok