Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMV164ENEAR
MOSFET N-CH 60V 1.6A TO236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMV164EN
PMV164ENEAR Hakkında
PMV164ENEAR, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 1.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile şarj kontrolleri, güç anahtarlaması ve sinyal kütleme uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar gerektiren cihazlara entegre edilebilir. 10V gate geriliminde 218mOhm RDS(on) değeri ile düşük kaynaklı ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 640mW (Ta), 5.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 218mOhm @ 1.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok