Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMV130ENEAR
NEXPERIA PMV130 - 40 V, N-CHANNE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMV130
PMV130ENEAR Hakkında
PMV130ENEAR, Nexperia tarafından üretilen 40V N-Channel MOSFET transistördür. 2.1A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 120mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Mobil cihazlar, şarj devreleri, DC-DC konvertörler ve düşük voltaj anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 460mW (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok