Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMV130ENEA/DG/B2R
MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMV130
PMV130ENEA/DG/B2R Hakkında
PMV130ENEA/DG/B2R, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 2.1A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 120mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, gürültü bastırma devreleri, anahtarlı güç kaynakları, load switch ve sinyal anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. RoHS uyumlu, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren tasarımlar için idealdir. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok