Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMV120ENEAR
MOSFET N-CH 60V 2.1A TO236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMV120EN
PMV120ENEAR Hakkında
PMV120ENEAR, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 2.1A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, 123mΩ (10V, 2.1A şartlarında) RDS(on) değerine sahiptir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketi içinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük voltaj motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen PMV120ENEAR, 513mW Ta'da ve 6.4W Tc'de güç saçabilir. 7.4nC gate charge ve 275pF input capacitance değerleri sayesinde hızlı komütasyon gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 275 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 513mW (Ta), 6.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 123mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok