Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMV100XPEA215
NEXPERIA PMV100 - N-CHANNEL MOSF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMV100
PMV100XPEA215 Hakkında
PMV100XPEA215, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montajlı paket içinde gelmektedir. 20V drain-source gerilimi, 2.4A sürekli dren akımı kapasitesi ve 128mOhm on-state direnci ile analog anahtarlama, güç yönetimi ve düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 6nC gate charge ve 386pF giriş kapasitanslı tasarımı, hızlı anahtarlama ve düşük güç tüketimi gerektiren devrelere uygundur. Endüstriyel kontrol, pil yönetimi ve portatif cihazlarda yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 386 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 463mW (Ta), 4.45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 128mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok