Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMV100EPAR
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMV100E
PMV100EPAR Hakkında
PMV100EPAR, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 2.2A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (130mΩ @ 2.2A, 10V) ile verimli güç anahtarlaması sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, yük kontrolü ve düşük güç DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 710mW güç disipasyonu kapasitesi ile kompakt tasarımlara uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 616 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 710mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok