Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMT760EN,135
MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMT760EN
PMT760EN,135 Hakkında
PMT760EN,135, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 900mA sürekli dren akımı özellikleriyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT223 (SC-73) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. 950mOhm maksimum on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Gate charge 3nC olup hızlı anahtarlama performansı sağlar. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 900mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 80 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 6.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 800mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-73 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok