Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMT560ENEAX
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMT560
PMT560ENEAX Hakkında
PMT560ENEAX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source voltaj ve 1.1A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, SOT-223 yüzey montaj paketiyle sunulmaktadır. 715mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük on-dirençli uygulamalar için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve genel amaçlı MOSFET uygulamalarında kullanılır. 750mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesi, kompakt tasarımlı cihazlarda ve sınırlı alan gerektiren uygulamalarda tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 112 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 715mOhm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok