Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMT560ENEAX
NEXPERIA PMT560ENEA - 100V N-CHA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMT560
PMT560ENEAX Hakkında
PMT560ENEAX, Nexperia tarafından üretilen 100V N-Channel MOSFET transistördür. SOT-223 paketinde sunulan bu bileşen, 1.1A sürekli dren akımı ve 715mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arası) çalışabilir. 4.4nC gate charge ve 112pF input capacitance özellikleriyle sürülmesi kolaydır. DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, anahtar modlu güç kaynakları ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate gerilim toleransı sayesinde güvenli bir çalışma ortamı sağlar. Surface mount teknolojisi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 112 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 715mOhm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok