Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMT29EN,115

MOSFET N-CH 30V 6A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
PMT29EN

PMT29EN,115 Hakkında

PMT29EN,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 6A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT223 yüzey montaj paketinde sunulan bu FET, 29mΩ on-state direnci (10V gate voltajında, 6A akımda) ve 11nC gate charge ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük sıcaklık katsayısı ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) sayesinde endüstriyel ve ticari elektronik uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 820mW güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 492 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 820mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package SC-73
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok