Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMT200EPEX
MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMT200EPEX
PMT200EPEX Hakkında
PMT200EPEX, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 70V drain-source voltaj ve 2.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-223 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 10V gate voltajında 167mOhm'lik düşük on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. LED sürücülerine, güç dağıtım birimlerine, pil şarj devrelerine ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarına uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 70 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 822 pF @ 35 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 167mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok