Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMT200EN,135
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMT200EN
PMT200EN,135 Hakkında
PMT200EN,135, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1.8A sürekli dren akımı kapasitesiyle, düşük sinyal anahtarlaması ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 235mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. SOT223 yüzey montajlı paketi, kompakt PCB tasarımları için uygundur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. Gate charge değeri 10nC ile hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde etkindir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 475 pF @ 80 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SC-73 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok