Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB95ENEAX
MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB95EN
PMPB95ENEAX Hakkında
PMPB95ENEAX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 105mΩ maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile düşük güç kaybı sağlar. DFN2020MD-6 (6-pin UDFN exposed pad) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 14.9nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 504 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok