Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB55ENEAX
MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB55EN
PMPB55ENEAX Hakkında
Nexperia PMPB55ENEAX, 60V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor'dür (MOSFET). DFN2020MD-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 56mΩ maksimum kapalı durum direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı gerektiren anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, 12nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konvertörler, anahtarlı güç kaynakları ve genel amaçlı dijital kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 435 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.65W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok