Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB50ENEX
PMPB50ENE - 30 V, N-CHANNEL TREN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB50ENE
PMPB50ENEX Hakkında
PMPB50ENEX, Rochester Electronics tarafından üretilen 30V N-channel MOSFET transistördür. 6.9A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 43mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybı işletme sağlar. 10nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve motor kontrolünde kullanılır. Surface mount 6-UDFN paketinde sunulan PMPB50ENEX, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 271 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 5.1A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok