Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB29XPEAX
MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB29XPE
PMPB29XPEAX Hakkında
PMPB29XPEAX, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 32.5mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. DFN2020MD-6 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge 45nC ve input capacitance 2970pF değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve invertör uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2970 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.5mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok