Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB29XPE,115
MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB29XPE
PMPB29XPE,115 Hakkında
PMPB29XPE,115, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. DFN2020MD-6 yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (32.5mOhm @ 5A, 4.5V) ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi sistemleri, DC/DC dönüştürücüler ve pil yönetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 45nC gate charge ve 2970pF input kapasitanslı özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2970 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.5mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok