Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMPB29XNE,115

MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PMPB29XNE

PMPB29XNE,115 Hakkında

Nexperia tarafından üretilen PMPB29XNE,115, 30V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 5A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 33mΩ (4.5V, 5A) maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. DFN2020MD-6 (6-pin UDFN Exposed Pad) yüzey montajlı paketi, kompakt PCB tasarımları için uygun bir seçimdir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında PWM kontrolü, güç anahtarlaması ve motor sürücüleri gibi alanlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5A, 4.5V
Supplier Device Package DFN2020MD-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok