Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB29XNE,115
MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-XFDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB29XNE
PMPB29XNE,115 Hakkında
PMPB29XNE,115, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 33mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç dönüştürme sağlar. 4.5V gate sürücü geriliminde çalışır ve ±12V maksimum gate gerilimi toleransına sahiptir. DFN1010B-6 paketinde sunulan bu bileşen, mobil cihazlar, adaptörler, LED kontrolörleri ve düşük voltaj güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arası geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Surface mount montajı ile otomatik üretim süreçlerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1010B-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok