Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB27EP,115
30 V, SINGLE P-CHANNEL TRENCH MO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB27EP
PMPB27EP,115 Hakkında
PMPB27EP,115, Rochester Electronics tarafından üretilen 30V Drain-Source geriliminde çalışan tek kanal P-Channel Trench MOSFET'tir. 6.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu transistör, düşük on-direnci (29mΩ @ 10V, 6.1A) ile verimli anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Surface Mount 6-UDFN pakette sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.7W (Ta) güç tüketim sınırına sahiptir. Gate yükü 45nC, giriş kapasitesi 1570pF ile karakterize edilen bu MOSFET, endüstriyel kontrol, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü ve gücü yönetim sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 6.1A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok