Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB23XNEAX
PMPB23XNEA - 20 V, N-CHANNEL TRE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB23XNEA
PMPB23XNEAX Hakkında
PMPB23XNEAX, Rochester Electronics tarafından üretilen 20V N-Channel MOSFET transistörüdür. 7A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu FET, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 22mΩ maksimum Rds On değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount DFN2020MD-6 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Maksimum 1.7W (Ta) güç tüketimi ile anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrolü ve genel endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. ±12V gate voltajı aralığında çalışan bu transistör, hızlı anahtarlama performansı ve kompakt form faktörü ile tasarım optimizasyonu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1136 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 0.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok