Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB23XNE,115
MOSFET N-CH 20V 7A DFN2020MD-6
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-XFDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB23XNE
PMPB23XNE,115 Hakkında
PMPB23XNE,115, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 7A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 22mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. DFN1010B-6 paketinde sunulan bu bileşen, açığa çıkarılmış pad sayesinde iyileştirilmiş ısıl yönetim sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen PMPB23XNE, endüstriyel kontrol sistemleri, batarya yönetimi, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1136 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN1010B-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok