Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB215ENEAX
MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB215EN
PMPB215ENEAX Hakkında
PMPB215ENEAX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 1.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 230mOhm (10V, 1.9A) RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 6-pin UDFN DFN2020MD-6 yüzey montaj paketi içinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve düşük gerilim alanlarında kullanılır. 7.2nC gate charge ve 215pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 215 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok