Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB20UN,115
MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB20UN
PMPB20UN,115 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen PMPB20UN,115, N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 6.6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 6-UDFN (2x2mm) SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 25mΩ tipik RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Ürün üretimi durdurulmuş olup, alternatif çözümler önerilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-DFN2020MD (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok