Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB20EN,115
MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-XFDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB20EN
PMPB20EN,115 Hakkında
PMPB20EN,115, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 7.2A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 19.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. DFN2020 (6-XFDFN) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 10.8nC gate charge ve 435pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 435 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN1010B-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok