Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB12UN,115
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB12UN
PMPB12UN,115 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen PMPB12UN,115, N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup 20V drain-source geriliminde maksimum 7.9A sürekli dren akımı sağlar. 6-UDFN (2x2mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 18mOhm düşük on-state direnci ve 13nC gate yükü özellikleri ile düşük güç kaybı gerektiren anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, güç yönetimi, motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde yer alması uygun kılmaktadır. 1.7W (Ta) maksimum güç kaybı ile kompakt tasarımlar için idealdir. Ürün durumu itibariyle kullanımı sınırlı olup mevcut tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 886 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 7.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-DFN2020MD (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok