Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB12R7EPX
PMPB12R7EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB12R7EP
PMPB12R7EPX Hakkında
PMPB12R7EPX, Nexperia tarafından üretilen 30V P-Channel MOSFET transistördür. Sürekli dren akımı 8.7A kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. RDS(on) değeri 15.5mOhm olup 10V gate voltajında optimum performans sağlamaktadır. 6-UDFN SMD paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilmektedir. Gate charge değeri 49nC ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. Güç yönetimi, batarya koruma devreleri, motor kontrol ve genel anahtar uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1638 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 8.7A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN2020M-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok