Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB11R2VPX
MOSFET P-CH 12V 9.7A DFN2020M-6
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB11R2VPX
PMPB11R2VPX Hakkında
PMPB11R2VPX, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi (Vdss) ve 9.7A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle tasarlanmıştır. 14mΩ on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. DFN2020M-6 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve portable cihazlarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışma sağlayan geniş sıcaklık aralığına sahiptir. Surface mount teknolojisiyle PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2230 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 9.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok