Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB10XNEAX
PMPB10XNEA - 20 V, N-CHANNEL TRE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB10XNEA
PMPB10XNEAX Hakkında
PMPB10XNEAX, Rochester Electronics tarafından üretilen 20V N-Channel MOSFET transistördür. 9A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç anahtarlama ve yönetim uygulamalarında kullanılır. 14mΩ düşük on-direnç (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. 6-UDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Kontrol devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilen bir FET çözümüdür. ±12V gate voltaj aralığıyla geniş uyumluluk sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2175 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 0.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok