Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB10XNEAX
MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB10XNEAX
PMPB10XNEAX Hakkında
PMPB10XNEAX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 9A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 14mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 4.5V gate sürüş geriliminde çalışan bu transistör, 0.9V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. DFN2020MD-6 yüzey monte paketi içinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. DC-DC dönüştürücüler, motor denetleyicileri, güç anahtarlaması ve sinyal kontrolü gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2175 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 0.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok