Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB10XNE,115
MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB10XNE
PMPB10XNE,115 Hakkında
PMPB10XNE,115, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ile 9A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 14mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. DFN2020MD-6 (6-UDFN Exposed Pad) paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 1.7W (Ta) veya 12.5W (Tc) güç dağılımı kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±12V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2175 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok