Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB10ENZ
MOSFET N-CH 30V 10A DFN2020MD-6
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB10ENZ
PMPB10ENZ Hakkında
PMPB10ENZ, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 6-UDFN (DFN2020MD-6) yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC konverterler, motor sürücüleri ve yük anahtarlaması gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok