Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB100ENEX
PMPB100ENE - 30 V, N-CHANNEL MOS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB100ENE
PMPB100ENEX Hakkında
PMPB100ENEX, Rochester Electronics tarafından üretilen 30V N-Channel MOSFET transistördür. 5.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (72mOhm @ 10V) ile verimli güç anahtarlaması sağlar. 6-UDFN SMD paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlama devrelerinde kullanılmaya uygundur. ±20V maksimum gate voltajı ve 2.5V eşik voltajı ile hızlı komütasyon karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 157 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok