Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB08R6ENX
MOSFET N-CH 30V 11A DFN2020M-6
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB08R6ENX
PMPB08R6ENX Hakkında
Nexperia tarafından üretilen PMPB08R6ENX, N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 11A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10.5mOhm (Rds On) ile düşük kanal direnci sağlayarak enerji kaybını minimize eder. 6-UDFN (DFN2020M-6) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Gate charge değeri 20.6nC ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli işlem yapabilir. Motor kontrol, LED sürücü devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok