Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB08R5XNX
PMPB08R5XN/SOT1220-2/DFN2020M-
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB08R5XN
PMPB08R5XNX Hakkında
PMPB08R5XNX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 11A sürekli drenaj akımı (Id) ile tasarlanmıştır. 10mOhm maksimum Rds On değeri düşük kayıp uygulamalar için uygundur. 6-UDFN DFN2020M-6 yüzey montajlı paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate şarjı 30nC @ 4.5V olup hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Power dissipation değerleri 1.9W (Ta) ve 12.5W (Tc) dir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrol ve RF uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1774 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 11A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN2020M-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok