Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB08R4VPX
MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB08R4VPX
PMPB08R4VPX Hakkında
PMPB08R4VPX, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltaj ve 12A sürekli drain akımına sahip olan bu bileşen, 9.6mΩ düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. 6-UDFN Exposed Pad paketinde sunulan komponent, güç yönetimi uygulamaları, DC/DC dönüştürücüler, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi alanlarda kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığı sayesinde geniş ortam koşullarında işletim sağlar. 40nC gate charge ve 2200pF input capacitance değerleri, hızlı anahtarlama özelliğini desteklemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 12A, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN2020MD-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok