Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMPB07R3VPX

PMPB07R3VP - 12 V, P-CHANNEL TRE

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
6-UDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
PMPB07R3VP

PMPB07R3VPX Hakkında

PMPB07R3VPX, Nexperia tarafından üretilen 12V P-Channel MOSFET transistördür. 12.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük 8.6mOhm on-state direnci ile güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. 6-UDFN Surface Mount paketinde sunulan transistör, anahtarlama devrelerinde, güç dağıtım üniteleri, batarya yönetim sistemleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulamalar için uygunluk sağlar. 1.9W (Ta) maksimum güç tüketimi ve düşük gate charge değeri (40nC) hızlı komütasyon ve düşük enerji kaybı özelliğini gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2121 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 12.5A, 4.5V
Supplier Device Package DFN2020M-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok