Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMPB07R3ENX
PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMPB07R3EN
PMPB07R3ENX Hakkında
PMPB07R3ENX, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8.6mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahip bu transistör, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. SOT1220-2 DFN2020M-6 paketinde sunulur ve yüzey montaj uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 914 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | DFN2020M-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok