Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMH850UPEH
MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMH850
PMH850UPEH Hakkında
PMH850UPEH, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 600mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. DFN0606-3 yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 1Ω (500mA, 4.5V) maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate kapasitansı 62.2pF ve gate charge 900pC olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlayan bu MOSFET, anahtar uygulamalarında, amplifikatörlerde ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 2.23W maksimum güç kaybı (Tc) ve ±8V maksimum gate-source gerilimi ile özel uygulamalar için uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 900 pC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 62.2 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 660mW (Ta), 2.23W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | DFN0606-3 (SOT8001) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok