Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMFPB8032XP,115
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMFPB8032XP
PMFPB8032XP,115 Hakkında
Nexperia tarafından üretilen PMFPB8032XP, P-kanal MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 2.7A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 102mΩ RDS(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. Entegre Schottky diyot bulunduran bu bileşen, güç yönetimi devreleri, yükseltici konvertörler, batarya yönetim sistemleri ve genel anahtar uygulamalarında tercih edilir. 6-UFDFN paket tipi ve -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir. Bileşen artık üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 485mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok