Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PMFPB6532UP,115
MOSFET P-CH 20V 3.5A DFN2020-6
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 6-UDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PMFPB6532UP
PMFPB6532UP,115 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen PMFPB6532UP, P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source geriliminde 3.5A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, entegre Schottky diyotla birlikte tasarlanmıştır. 70mOhm maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile düşük enerji kaybı sunar. 6-UDFN (2x2mm) yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarında kullanılır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük gerilim motorlu sistemlerde tercih edilir. ±8V maksimum gate-source gerilimi ile sınırlı kütlük koşullarda güvenli çalışma sağlar. Maksimum 150°C jul sıcaklığında ve 8.3W (Tc) güç yayılımında kullanılabilir. Şu anda ürün sonlandırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 520mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok