Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PMCM6501UNEZ

MOSFET N-CH 20V 8.7A 6WLCSP

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
6-XFBGA
Seri / Aile Numarası
PMCM6501

PMCM6501UNEZ Hakkında

PMCM6501UNEZ, Nexperia tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ile 8.7A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, 21mOhm (4.5V, 3A) on-state direnç değerine sahiptir. 6-WLCSP (1.48x0.98mm) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 150°C maksimum işletme sıcaklığında 400mW güç dissipasyonu kapasitesine sahip olan PMCM6501UNEZ, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve düşük gerilim güç uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (6.2nC @ 4.5V) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 105 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-XFBGA, WLCSP
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 400mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package 6-WLCSP (1.48x0.98)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 0.9V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok