Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJW8N03_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
PJW8N03

PJW8N03_R2_00001 Hakkında

PJW8N03_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. 5A (Ta) / 7.2A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama ve doğrultucu uygulamalarında kullanılır. 38mΩ @ 10V Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-223 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 2.1V threshold voltajı ile düşük voltaj uygulamalarında da çalışabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihazlarda, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlı güç kaynakları ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta), 7.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 343 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 5.6A, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok