Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJW7N06A-AU_R2_000A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
PJW7N06A

PJW7N06A-AU_R2_000A1 Hakkında

PJW7N06A-AU_R2_000A1, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. 6.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 34mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Surface Mount SOT-223 paketine sahip olup, motor kontrolü, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Gate threshold voltajı 2.5V ile hızlı ve güvenilir açma-kapama işlemleri gerçekleştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1173 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok