Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJW5P03_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
PJW5P03

PJW5P03_R2_00001 Hakkında

PJW5P03_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 4.6A sürekli dren akımı ve 50mOhm (10V, 3A) Ron değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Maksimum 1.6W güç tüketimi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. TO-261-4 / SOT-223 paket tipinde gelen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrol ve LED sürücü devrelerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V gate-source voltaj toleransı ve 4.8nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 516 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok