Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJW5N10A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJW5N10A
PJW5N10A_R2_00001 Hakkında
PJW5N10A_R2_00001, PANJIT tarafından üretilen 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. 3.5A sürekli dren akımı (Ta) ve 5A (Tc) kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 115mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate Charge 20nC ve giriş kapasitansi 1413pF ile hızlı komütasyon özellikleri sunar. ±20V gate voltaj toleransı ve -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uygun. SMD SOT-223 paketinde sunulur ve motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri gibi elektronik sistemlerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta), 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1413 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 5.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok