Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJW5N10-AU_R2_000A1
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJW5N10
PJW5N10-AU_R2_000A1 Hakkında
PJW5N10-AU_R2_000A1, Panjit tarafından üretilen 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistörüdür. 3.1A sürekli drain akımı (Ta) ve 5A (Tc) ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 130mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 12nC maksimum Gate Charge değeri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Ta), 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 707 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok