Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PJW5N06A-AU_R2_000A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Üretici
PANJIT
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
PJW5N06A

PJW5N06A-AU_R2_000A1 Hakkında

PJW5N06A-AU_R2_000A1, PANJIT tarafından üretilen 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 5A kontinü drain akımı ve 75mΩ maksimum RDS(on) değeri ile geçiş uygulamalarında kullanılır. ±20V gate gerilim toleransı ve geniş -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığı ile güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama ve güç dönüştürme devrelerinde yer alır. Surface Mount TO-261-4 paketinde sunulan bileşen, endüstriyel kontrol sistemleri, LED sürücüleri ve batarya yönetim uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 509 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.72W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package SOT-223
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok