Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PJW4P06A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
- Üretici
- PANJIT
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PJW4P06A
PJW4P06A-AU_R2_000A1 Hakkında
PJW4P06A-AU_R2_000A1, PANJIT tarafından üretilen 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 110mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük dirençli iletim sağlar. TO-261-4 (SOT-223) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok